特許

J-GLOBAL ID：200903050244345983

半導体装置

発明者： 横前 利幸 ,  上▲柳▼ 勝道 ,  望月 英司 ,  池田 良成
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-281695
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098586
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】半導体素子の熱ダメージを防止する。【解決手段】複数の半導体素子13a,13bを搭載した半導体装置100において、半導体素子13a,13bの上面に金属板20を接合した。そして、金属板20に半導体装置100の電流経路となる導体板15をレーザー溶接によって接合した。溶接は、導体板15が半導体素子13a,13bの直上に位置する金属板20以外の部分の金属板20とレーザー溶接によって接合されている。これにより、レーザー溶接による熱ダメージを低減させることのできる半導体装置の実現が可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの半導体素子を搭載した半導体装置において、 前記半導体素子の上面に接合された金属板と、 前記金属板に接合され、前記半導体装置の電流経路となる導体板と、を備え、 前記導体板と前記金属板とは、前記半導体素子の直上以外の部分でレーザー溶接によって接合されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (2件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-347356   出願人：富士電機ホールディングス株式会社
• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-427683   出願人：株式会社豊田中央研究所

審査官引用 (1件)

• パワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240083   出願人：株式会社豊田中央研究所