パワーダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-103334
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026779
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】高電界区域が低電界区域に殆ど温度に依存せずに結合されるFCIダイオードを提供する。【解決手段】第1導電形の内部区域2と、この内部区域2に続き内部区域2内より高いドーピング濃度を持つ第1導電形のカソード区域3と、内部区域2に続き内部区域2内より高いドーピング濃度を持つ第2導電形のアノード区域6とを備え、内部区域2内に内部区域2と同じ導電形を持ちしかも内部区域2内より高いドーピング濃度を持つフローティング領域5が設けられる。

請求項（抜粋）：

第1導電形の内部区域(2)と、この内部区域(2)に続き内部区域(2)内より高いドーピング濃度を持つ第1導電形のカソード区域(3)と、内部区域(2)に続き内部区域(2)内より高いドーピング濃度を持つ第2導電形のアノード区域(6)とを備えた半導体基体(1)から構成されたパワーダイオードにおいて、内部区域(2)とアノード区域(6)との間の境界面(4)は少なくとも一部分が湾曲し、及び/又は内部区域(2)内に少なくとも1つの第1導電形のフローティング領域(5)が設けられていることを特徴とするパワーダイオード。

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭56-058274
特開昭55-027618
特開昭57-028367

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