特許
J-GLOBAL ID：200903050252037120
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-228935
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058640
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 共通コンタクトと通常コンタクトとを有する半導体装置を少ない工程数で製造する方法を提供する。【解決手段】 上部の配線と接続しない共通コンタクトと上部の配線と接続する通常コンタクトとを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に拡散層とゲート電極と形成する工程と、拡散層とゲート電極とが形成された半導体基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層を貫くように共通コンタクトと通常コンタクトとを同時に形成するコンタクト形成工程とを有する。
請求項（抜粋）：
上部の配線と接続しない共通コンタクトと前記上部の配線と接続する通常コンタクトとを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に拡散層とゲート電極と形成する工程と、前記拡散層とゲート電極とが形成された半導体基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、前記第1の絶縁層を貫くように前記共通コンタクトと前記通常コンタクトとを同時に形成するコンタクト形成工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (15件)：
5F033AA19
, 5F033AA28
, 5F033AA29
, 5F033AA54
, 5F033AA64
, 5F033BA02
, 5F033CA04
, 5F033DA07
, 5F033DA15
, 5F033DA29
, 5F033DA36
, 5F033EA03
, 5F033EA25
, 5F033EA27
, 5F033EA28
