特許
J-GLOBAL ID：200903050262174525

半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
竹内 辰也

竹内 辰也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065263
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、漏れ電流を低減させて低しきい値電流化すると共に、レーザ特性に悪影響を与えることなく平坦な埋込層を生産性良く形成する。【解決手段】 {100}面を主面とする一導電型半導体基板1上に、活性層3を含むストライプ状メサ5を設けると共に、ストライプ状メサ5の側面と一導電型半導体基板1の露出した{100}面上に連続的につながる反対導電型層6を設け、且つ、ストライプ状メサ5の側部に{100}面にほぼ平行なほぼ矩形状の一導電型埋込層7を設ける。
請求項（抜粋）：
{100}面を主面とする一導電型半導体基板上に、活性層を含むストライプ状メサを設けると共に、前記ストライプ状メサの側面と前記一導電型半導体基板の露出した{100}面上に連続的につながる反対導電型層を設け、且つ、前記ストライプ状メサの側部に前記{100}面にほぼ平行なほぼ矩形状の一導電型埋込層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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