特許
J-GLOBAL ID：200903094268710027
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-061017
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097509
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 段差を有する基板表面の凹部に埋込層を堆積し、基板表面を平坦化する技術を提供する。【構成】 表面に段差を有する半導体基板を準備する工程と、1分子中にハロゲン原子を1個もしくは2個含むハロゲン化炭化水素を添加した原料ガスを用い、有機金属気相成長法により、半導体基板の表面にIII-V族化合物半導体層を成長させる成長工程とを含む。
請求項（抜粋）：
表面に段差を有する半導体基板を準備する工程と、1分子中にハロゲン原子を1個もしくは2個含むハロゲン化炭化水素を添加した原料ガスを用い、有機金属気相成長法により、前記半導体基板の表面にIII-V族化合物半導体層を成長させる成長工程とを含む半導体装置の製造方法。
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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