特許
J-GLOBAL ID:200903050281784407

セラミック焼結体及びその製造方法並びにガスセンサ素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 清路
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-095959
公開番号(公開出願番号):特開2001-064082
出願日: 2000年03月30日
公開日(公表日): 2001年03月13日
要約:
【要約】【課題】 クラックの発生が抑えられ、強固に接合された、2種以上のセラミックス層を有する焼結体の製造方法及び得られる焼結体、並びにそれを用いたガスセンサ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 アルミナ、ジルコニア等、2種以上のセラミックス層を有する焼結体を製造する。また、内部にヒータが配設されたアルミナ基板1、及びこのアルミナ基板に接合され、両面に電極が形成されたジルコニア固体電解質層7を備えるガスセンサ素子を得る。アルミナ基板及びジルコニア固体電解質層等の2種以上のセラミックス層の相対密度がいずれも80%以上である。また、相対密度を80%以上にするための焼成温度の下限値の差が80°C以内、特に50°C以内である。更に、焼成温度における各々のセラミックス層の焼成割りかけ率の差が0.09以下、特に0.065以下である。
請求項(抜粋):
成分が異なる第1セラミックス層と第2セラミックス層とを有するセラミック焼結体の製造方法において、第1焼成割り掛け率を有し、第1焼成温度にて80%以上の相対密度となる第1未焼成体と、上記第1焼成割り掛け率との差が0.09以下である第2焼成割り掛け率を有し、上記第1焼成温度との差が80°C以下である第2焼成温度にて80%以上の相対密度となる第2未焼成体とを用意した後、少なくとも上記第1未焼成体と該第2未焼成体とを積層して第1未焼成積層体を形成し、次いで、上記第1焼成温度及び上記第2焼成温度より高い焼成温度にて上記第1未焼成積層体を焼成し、上記第1末焼成体を上記第1セラミックス層とし、上記第2未焼成体を上記第2セラミックス層とすることを特徴とするセラミック焼結体の製造方法。
IPC (5件):
C04B 35/622 ,  B28B 11/00 ,  C04B 35/64 ,  C04B 41/87 ,  G01N 27/409
FI (5件):
C04B 35/00 E ,  C04B 41/87 B ,  B28B 11/00 Z ,  C04B 35/64 C ,  G01N 27/58 B
Fターム (17件):
2G004BB04 ,  2G004BC03 ,  2G004BD04 ,  2G004BE04 ,  2G004BE22 ,  2G004BJ02 ,  2G004BL09 ,  4G030AA17 ,  4G030AA36 ,  4G030BA03 ,  4G030CA08 ,  4G030GA14 ,  4G030GA20 ,  4G055AA08 ,  4G055AC01 ,  4G055BA24 ,  4G055BA32
引用特許:
審査官引用 (5件)
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