特許
J-GLOBAL ID：200903050300121163

窒化物系半導体装置およびその製造方法

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

, 
上野 昌紀

上野 昌紀 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057983
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273484
出願日： 2003年03月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】平坦性と結晶性に優れたエピタキシャル膜を含む窒化物系半導体装置を容易に得ることができる製造方法およびその方法で製造された窒化物系半導体装置を提供する。【解決手段】窒素と化合物を形成する3B族元素と窒素とを含む化合物の半導体基板に形成された窒化物系半導体装置の製造方法であり、半導体基板1を成膜温度に加熱して、3B族元素の原料ガスおよび窒素の原料ガスをともに含む成膜ガスを供給し、その半導体基板上に3B族元素と窒素とを含む化合物の薄膜2をエピタキシャル成長させる工程を含み、そのエピタキシャル成長工程より前に、半導体基板を成膜温度未満の前処理温度に加熱して、半導体基板の表面を清浄化する工程とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒素と化合物を形成する3B族元素と窒素とを含む化合物の半導体基板に形成された窒化物系半導体装置の製造方法であって、 前記半導体基板を成膜温度に加熱して、前記3B族元素の原料ガスおよび窒素の原料ガスをともに含む成膜ガスを供給し、その半導体基板上に前記3B族元素と窒素とを含む化合物の薄膜をエピタキシャル成長させる工程と、 前記エピタキシャル成長工程より前に、前記半導体基板を前記成膜温度未満の前処理温度に加熱して、前記半導体基板の表面を清浄化する工程とを備える、窒化物系半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C
Fターム (26件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB17 ,  5F045CA09 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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