半導体膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-063281
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007616
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】窒化物半導体膜を基板と同程度に広く確保しつつ、割れや反りの発生を抑制しうる半導体膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】サファイア基板11の上に、第1の半導体膜であるGaN膜12をエピタキシャル成長させる。レーザ光をサファイア基板11の裏面からGaN膜12に照射して、サファイア基板11とGaN膜12との間に熱分解層14を介在させる。サファイア基板11の上にGaN膜12を載せたまま、第2の半導体膜であるGaN膜15をエピタキシャル成長させた後、基板温度を室温まで下げる。その後、サファイア基板11をGaN膜12及びGaN膜15から分離除去すると、サファイア基板11とほぼ同じ面積を有するGaN基板16が得られる。

請求項（抜粋）：

光透過性の基板上に第1の半導体膜を形成する工程(a)と、上記基板と上記第1の半導体膜との間に光を照射して、上記第1の半導体膜と上記基板との界面の少なくとも一部において両者間の接合を分離させる工程(b)と、上記基板上に上記第1の半導体膜を載せた状態で、上記第1の半導体膜上に第2の半導体膜を成長させる工程(c)とを含み、少なくとも上記第1及び第2の半導体膜を半導体基板として用いる半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 21/20 , C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (26件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EF03 , 4G077FE16 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CA77 , 5F045AB14 , 5F045AF09 , 5F045BB13 , 5F045HA18 , 5F052JA01 , 5F052JA07 , 5F052KA01 , 5F073AA51 , 5F073CB05 , 5F073DA04 , 5F073DA16

引用特許：

審査官引用 (7件)

応力緩和された積層構造を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-238154 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077245 出願人：日亜化学工業株式会社
III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-092291 出願人：豊田合成株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る