特許
J-GLOBAL ID：200903063579718347

化合物半導体の製造方法

発明者：
岡久 拓司

岡久 拓司 について

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竹本 菊郎

竹本 菊郎 について

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元木 健作

元木 健作 について

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纐纈 明伯

纐纈 明伯 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218681
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031509
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 GaN単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することが可能な化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 この方法は、GaN単結晶基板1上に形成された窒化物系化合物半導体層2を備える化合物半導体の製造方法において、GaN単結晶基板1を塩化水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱することにより基板1の表面層をエッチングする気相エッチング工程と、気相エッチング工程の後に窒化物系化合物半導体層2の原材料をGaN単結晶基板1上に供給して窒化物系化合物半導体層を形成する半導体層成長工程とを備える。
請求項（抜粋）：
GaN単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を備える化合物半導体の製造方法において、前記GaN単結晶基板を塩化水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で加熱することにより前記基板の表面層をエッチングする気相エッチング工程と、前記気相エッチング工程の後に前記窒化物系化合物半導体層の原材料を前記GaN単結晶基板上に供給して前記窒化物系化合物半導体層を形成する半導体層成長工程とを備えることを特徴とする化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 P
Fターム (33件)：
5F004AA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA30 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045BB12 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045EM10 ,  5F045GH02 ,  5F045GH03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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