特許

J-GLOBAL ID：200903050308985167

プラズマ処理用電極及びその製造方法並びにその使用

発明者： ヒューバセク, ジェロム, エス. ,  エリンボー, アルバート, アール. ,  ベンジン, デイヴィッド
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (5件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  松丸 秀和
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-555446
公開番号（公開出願番号）：特表2004-524677
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

単一のウエハ等の半導体基板の処理が行われるプラズマ反応チャンバ用のシリコン電極及びその電極を用いて半導体基板を処理する方法。電極(12)は、1Ωcm以下の電気抵抗を有する低抵抗電極である。電極は、温度調節されたプレート(80)又はリング(14)等の支持体に結合された又はクランプされたシャワーヘッド電極等の無欠陥単結晶シリコン又は炭化シリコン電極であってもよい。シャワーヘッド電極は、均一な厚さの円板の形態であり、支持リングと電極との間にエラストマー接合が設けられてもよい。電極は、0.020〜0.030インチの直径を持つガスアウトレット(16)を備えうる。

請求項（抜粋）：

半導体基板処理に用いられるプラズマ反応チャンバに取り付けられるよう構成された低抵抗シリコン電極であって、1Ωcm以下の電気抵抗を有するシリコン電極を備え、該電極は、その片側にRF駆動されるか又は電気的に接地された面を有し、該面は、該電極の使用中に該プラグマ反応チャンバ内のプラズマに露出していることを特徴とする低抵抗シリコン電極。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101B ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 M

Fターム (4件)：

5F004BA04 ,  5F004BC03 ,  5F004DB03 ,  5F004DB06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• プラズマエッチング用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-181449   出願人：日立化成工業株式会社
• プラズマ装置用電極の製造方法及びプラズマ装置用電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275331   出願人：信越化学工業株式会社
• プラズマエッチング用単結晶シリコン製電極板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-283408   出願人：三菱マテリアル株式会社