半導体ウエハのめっき方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-346597
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172974
出願日： 1996年12月09日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】バンプ電極の径、高さ及び組成を均一に形成すること。【解決手段】円筒状のめっき槽1 の底面部1aに, カソードとしての略円板状のウエハ6 が平行配置され, その側面部はめっき槽1 の内側面に近接している。めっき槽1 の側面部1bにはウエハ6 の上面部61の高さと略等しい高さにスリット状の流出孔4 が周方向に複数個設けられている。ウエハ6 と略同形状で, 複数の孔部21を有し, メッシュ状のアノードとしてのめっき板2 は, ウエハ6 と対向して開口面部1c側に水平に配置され, その側面部がめっき槽1 の内側面に近接している。めっき槽1 内にはめっき液3 が供給され, その一部は開口面部1cよりオーバーフローする。めっき槽1 の下方には貯水槽7 が配置され, 流出孔4 及び開口面部1cから流出しためっき液3 が蓄えられ、そのめっき液3 はポンプ5 により汲み上げられ, 管8,9 を通って開口面部1cからめっき槽1 内に循環供給される。

請求項（抜粋）：

電解めっき法により半導体ウエハにめっきを施す方法において、めっき板を略水平に配設し、前記めっき板に対して重力方向の下部側に前記めっき板に対向させて前記半導体ウエハを略水平に配設し、めっき液に作用する重力を用いてめっき液の層流を重力方向下向きに形成し、前記半導体ウエハに対して層流を形成しながら、前記半導体ウエハをめっきすることを特徴とする半導体ウエハのめっき方法。

IPC (3件)：

H01L 21/321 , C25D 5/08 , C25D 17/00

FI (4件)：

H01L 21/92 604 B , C25D 5/08 , C25D 17/00 J , H01L 21/92 604 Z

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平2-217429
特開平1-049244
めっき装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052052 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平2-217429
特開平1-049244
めっき装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-052052 出願人：富士通株式会社

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