特許

J-GLOBAL ID：200903050542403996

ジャーマナイド薄膜、ジャーマナイド薄膜の作成方法、ジャーマナイド薄膜を備えたゲルマニウム構造体

発明者： 中塚 理 ,  酒井 朗 ,  鈴木 敦之 ,  小川 正毅 ,  財満 鎭明
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-247138
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081159
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】低抵抗かつ熱的安定性に優れた、ジャーマナイド薄膜を提供する。【解決手段】ゲルマニウム(Ge)基板11上に、Pt薄膜12が形成され、さらにPt薄膜12の上方にNi薄膜13が形成されている。その後、熱処理を加えることによって、Ge基板上にNi、Pt、Geの三元素からなる(Ni1-xPtx)Ge薄膜が形成された。ジャーマナイド薄膜を構成する結晶粒の結晶面方位が、前記ゲルマニウム基板の[110]結晶面に対して、[102]面あるいは[001]面を平行とする配向関係になっている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム基板を用いる半導体装置用の電極用材料としてのジャーマナイド薄膜の作成方法において、 前記ゲルマニウム基板の上方に白金、コバルト、パラジウム、ロジウム、イリジウムのうちのいずれか一つあるいは複数からなる金属層を形成する工程と、 前記金属層の上方にニッケル層を形成する工程と、 前記金属層を構成する金属、ニッケル、ゲルマニウムからなる合金を形成するように、前記金属層及び前記ニッケル層を熱処理する工程と を備えたジャーマナイド薄膜の作成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/28 301Z

Fターム (24件)：

4M104AA02 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD77 ,  4M104DD79 ,  5F140AA10 ,  5F140AA39 ,  5F140BA03 ,  5F140BA20 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ21 ,  5F140BK24 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140BK33 ,  5F140BK35 ,  5F140CE10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許公開2001-291864(特許3420168)
  

審査官引用 (1件)

• CMOS技術で異種のシリサイド/ゲルマニドを含む半導体構造を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-303411   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション