特許
J-GLOBAL ID：200903050547923793
ダイヤモンド半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小谷 悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118257
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 大電流を流すことができる大電力用のダイヤモンド半導体装置を提供する。【解決手段】 気相合成により形成された高配向ダイヤモンド膜からなる第1ダイヤモンド層1からなり、該第1ダイヤモンド層1上にダイヤモンド層2が形成されると共に、この第2ダイヤモンド層2上には、第3ダイヤモンド層3および絶縁薄膜4が選択的に形成されている。こうして形成された第3ダイヤモンド層3および絶縁薄膜4上には、それぞれソースおよび制御電極6、5が形成される一方、第1ダイヤモンド層1の他方主面1b側には、ドレイン電極7が形成されており、ソースおよびドレイン電極6、7の間の電流は空間制限電流機構により流れる。
請求項（抜粋）：
気相合成により形成された高配向ダイヤモンド膜からなり、しかも、その内部に第1導電型の不純物を含む第1ダイヤモンド層と、前記第1ダイヤモンド層の一方主面上に形成され、しかも、その内部に不純物を含まないか、あるいは前記第1ダイヤモンド層中の不純物濃度よりも低い濃度の不純物を含む第2ダイヤモンド層と、前記第2ダイヤモンド層の両主面のうち前記第1ダイヤモンド層と接合する一方主面と反対側の他方主面上に、選択的に形成された少なくとも1つの制御電極と、前記第2ダイヤモンド層の他方主面に前記制御電極と隣接して選択的に電位を与えるための第1電極と、前記第1ダイヤモンド層の他方主面上に形成されて前記第1ダイヤモンド層に電位を与えるための第2電極と、を備えたことを特徴とするダイヤモンド半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/78 652
, H01L 29/78
, H01L 29/78 653
, H01L 29/78 654
, C23C 16/27
, H01L 21/336
H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 654 C
, C23C 16/27
, H01L 29/78 658 F
4K030AA09
, 4K030AA17
, 4K030BA28
, 4K030BB12
, 4K030CA01
, 4K030FA01
, 4K030LA15
