特許
J-GLOBAL ID：200903050555056144
III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019716
公開番号（公開出願番号）：特開2004-231447
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】より一層大きな結晶サイズのIII族窒化物結晶を結晶成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長方法を提供する。【解決手段】反応容器101内の窒素圧力を3MPa、混合融液保持容器102の上部の温度を1000°C、混合融液保持容器102の下部の温度を850°Cに設定し、また、混合融液保持容器102の下部に種結晶を予め設置しておく。この状態で、上記の温度,圧力を保持することで、種結晶を核にしてGaN結晶110が成長し、大きくなる。このとき、混合融液103の表面(混合融液表面)にはGaN結晶110は成長せず、混合融液保持容器102の下部の種結晶が設置されている領域のみにGaN結晶110が成長する。窒素は混合融液103の表面から混合融液103中に溶け込み、種結晶の領域のみでGaN結晶が成長する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、窒素が混合融液表面から混合融液中に溶け込み、混合融液表面と異なる混合融液中の領域でIII族窒化物結晶が成長する温度に、混合融液表面と結晶成長領域とが各々温度制御されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/62 Q
, H01S5/343 610
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE12
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CC01
, 4G077CC04
, 4G077CD05
, 4G077EA02
, 4G077EA04
, 4G077EA06
, 4G077HA02
, 4G077NB01
, 4G077NB03
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB22
