電気光学装置および電子機器

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059039
公開番号（公開出願番号）：特開2002-258765
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：

【要約】【課題】低温ポリシリコンプロセスで形成した電気光学装置の狭額縁と低消費電力とを実現する。【解決手段】素子基板101には、低温ポリシリコンプロセスによって画素電極118が形成されている。この画素電極とは別のプロセスにおいて形成されデータ線駆動回路を含む集積回路を、素子基板の下辺101dと画素電極との間に設け、さらに左辺101bおよび右辺101cに沿った領域130a,160aには、該画素電極と同一プロセスにおいて形成された走査線駆動回路およびタイミング信号生成回路を設けた。集積回路170は低温ポリシリコンの動作電圧よりも充分低い電圧で動作させることができ、さらに領域130a,160aは充分狭くすることができるから、狭額縁と低消費電力とを共に達成することが可能になる。

請求項（抜粋）：

複数の走査線と、複数のデータ線と、これら走査線およびデータ線の各交差に対応して配設され画素を構成する画素電極と、前記画素電極毎に設けられ、当該走査線を介して供給される走査信号によって、当該データ線と当該画素電極との導通を制御するスイッチング素子とを備え、略長方形状に形成され該長方形の第1の辺は、他の辺よりも前記画素電極から離れるように形成された素子基板と、前記第1の辺と前記画素電極との間に配置され、前記データ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路を含むICチップと、前記第1の辺に隣接する第2または第3の辺に沿って、前記素子基板上に薄膜トランジスタによって形成され、前記走査線に対して前記走査信号を供給する走査線駆動回路と、前記画素電極に対して対向配置された対向電極を備える対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との問に挟持された電気光学材料と、を具備することを特徴とする電気光学装置。

IPC (5件)：

G09F 9/00 348 , G02F 1/1345 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338

FI (5件)：

G09F 9/00 348 C , G02F 1/1345 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338

Fターム (20件)：

2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA24 , 2H092NA26 , 5C094AA22 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5G435AA16 , 5G435BB05 , 5G435BB06 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435EE34 , 5G435EE40 , 5G435LL07

引用特許：

審査官引用 (8件)

アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-077712 出願人：シャープ株式会社
電気光学装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-311292 出願人：セイコーエプソン株式会社
表示装置及び半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-059605 出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社

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