特許

J-GLOBAL ID：200903050583832710

半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

発明者： 塩野 一郎 ,  水嶋 一樹 ,  山口 健志
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199505
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017670
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、欠陥が少ないと共にリーク電流が小さく、低コストに製造すること。【解決手段】 Si基板上に絶縁層を介してSiGe層を備えた半導体基板の製造方法であって、第1のSi基板1上に直接又は他の層を介してSiGe層5とSiの第1の表面層6とをこの順に形成して第1の基板Aを作製する工程と、第2のSi基板7上にSi酸化膜の第2の表面層8を形成した第2の基板と前記第1の基板Bとを第1の表面層及び第2の表面層を介して密着させ接合する工程と、該工程後に第1の基板の少なくとも前記第1のSi基板を除去する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

Si基板上に絶縁層を介してSiGe層を備えた半導体基板の製造方法であって、第1のSi基板上に直接又は他の層を介して前記SiGe層とSiの第1の表面層とをこの順に形成して第1の基板を作製する工程と、第2のSi基板上にSi酸化膜の第2の表面層を形成した第2の基板と前記第1の基板とを前記第1の表面層及び第2の表面層を介して密着させ接合する工程と、該工程後に前記第1の基板の少なくとも前記第1のSi基板を除去する工程とを備えていることを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/308 B ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 D

Fターム (24件)：

5F043AA07 ,  5F043BB12 ,  5F043DD30 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB06 ,  5F052KB04 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 絶縁体上にひずみ層を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-116473   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 接着型半導体基板と誘電体分離型バイポーラトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284780   出願人：株式会社東芝
• 半導体材料薄膜の製造のための改良型スマート・カット・プロセス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-237751   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体デバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-122818   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 半導体部材及び半導体部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194138   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Selective Removal of Si1-xGex from (100)-Si Using HNO3 and HF"