特許
J-GLOBAL ID:200903050623939556
パターン欠陥検査装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-050321
公開番号(公開出願番号):特開平10-247245
出願日: 1997年03月05日
公開日(公表日): 1998年09月14日
要約:
【要約】【課題】 大きな欠陥の存在を比較的早い段階で確認することができ、検査システムの効率向上を図ることを可能とする。【解決手段】 半導体素子を製作するときに使用されるフォトマスク或いは半導体ウエハのパターンの欠陥や液晶基板のパターンの欠陥等を検査するパターン欠陥検査装置において、設計データに基づいて作成された設計パターンイメージデータと試料に照射された光の透過光又は反射光に基づいて得られる観測データとを比較する比較回路32と、この比較回路における比較結果に基づいてパターンの欠陥の有無を判定するとともにパターンの欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大きいか否かを判定する判定回路33及び36とを有し、この判定回路により検査実行中に検出された欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合に検査を一時停止させる。
請求項(抜粋):
パターンが形成された試料に光を照射する照射手段と、この照射手段によって前記試料に照射された光の透過光又は反射光を集光する集光手段と、この集光手段によって集光された光を受光して前記試料に形成されたパターンに対応する観測データを取得する観測データ取得手段と、前記試料に形成されたパターンに対応する設計データに基づいて作成された設計パターンイメージデータと前記観測データとを比較する又は同一設計データに基づいて前記試料に形成された複数のパターンに対応する前記観測データ同士を比較する比較手段と、この比較手段における比較結果に基づいてパターンの欠陥の有無を判定するとともにパターンの欠陥のサイズが予め設定されたサイズよりも大きいか否かを判定する判定手段と、この判定手段により検査実行中に検出された欠陥のサイズが予め設定された欠陥のサイズよりも大きいと判定された場合に検査を一時停止させる停止手段とを有することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
IPC (3件):
G06T 7/00
, H01L 21/66
, H05K 3/00
FI (3件):
G06F 15/62 405 A
, H01L 21/66 J
, H05K 3/00 Q
引用特許:
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