特許

J-GLOBAL ID：200903050736236241

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 佐藤 英紀 ,  鈴木 範夫 ,  高松 朗 ,  丸山 裕之 ,  才川 健志 ,  堀田 勝彦 ,  壹添 宏之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-012026
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203263
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 分離溝内に埋め込む絶縁膜の上部に穴等を形成させることなく分離溝をその絶縁膜によって良好に埋め込む。【解決手段】 半導体基板1に形成された分離溝6aを埋め込む際に、最初に塗布膜6cによって分離溝6aの途中の深さ位置までを埋め込んだ後、その上に、CVD法で形成された絶縁膜6dを堆積し、さらに、その絶縁膜6dをCMP法等で研磨することで削ることで、分離溝6a内を塗布膜6cと絶縁膜6dとの重ね膜で埋め込む。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板の分離領域に分離溝を形成する工程と、(b)前記分離溝の深さ方向の途中の位置までを塗布法で堆積された第1の絶縁膜によって埋める工程と、(c)前記第1の絶縁膜が埋め込まれた前記分離溝の残りの深さ部分を第2の絶縁膜によって埋める工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 D

Fターム (24件)：

5F032AA35 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA02 ,  5F032DA09 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA74 ,  5F083AD24 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開昭60-020530
  
• 特開昭62-173738
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-012945   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-352716   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-281574   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-049643
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-033388   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-133733