特許
J-GLOBAL ID：200903050771450906

半導体装置の製造方法

発明者：
原田 真

原田 真 について

, 
弘津 研一

弘津 研一 について

, 
初川 聡

初川 聡 について

, 
藤川 一洋

藤川 一洋 について

, 
星野 孝志

星野 孝志 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331054
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133240
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入された層の上にさらに良好なエピタキシャル成長層を積んだ構造を得る方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基層としての第1のエピタキシャル成長層2に対して300°C以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、上記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、基層としての第1のエピタキシャル成長層2の上にエピタキシャル成長を行ない、第2のエピタキシャル成長層4を形成する成長工程とを含む。
請求項（抜粋）：
基層に対して300°C以上でイオンを注入するイオン注入工程を含み、前記イオン注入工程より後にアニールを行なうアニール工程と、前記基層の上にエピタキシャル成長を行ない、エピタキシャル成長層を形成する成長工程とを含む、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Q
Fターム (9件)：
4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM