特許
J-GLOBAL ID：200903066082599890

反応性イオンエッチング装置

発明者：
陳 巍

陳 巍 について

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伊藤 正博

伊藤 正博 について

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林 俊雄

林 俊雄 について

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内田 岱二郎

内田 岱二郎 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123897
公開番号（公開出願番号）：特開平10-317173
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】【課題】本発明の課題は、0.3μm幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。【解決手段】本発明による反応性ドライエッチング装置においては、真空チャンバーの上部の天板を浮遊電極にして高周波電力を印加するように構成される。
請求項（抜粋）：
真空チャンバー内に連続して存在する磁揚ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段を設けると共に、この磁気中性線に沿って交番電揚を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための1重を含む多重の高周波コイルを設けてなるプラズマ発生装置を有し、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧でプラズマを形成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチングする反応性イオンエッチング装置において、真空チャンバーの一部を円筒状の誘電体で構成し、環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段を誘電体の外部に配置した複数の磁場コイルで構成し、真空チャンバー内に形成される環状磁気中性線と同一面内であって真空チャンバーの誘電体壁と磁場コイルとの間にプラズマを発生するための高周波コイルを配置し、誘電体で構成した真空チャンバー部分の下部に高周波バイアスを印加する基板電極を設け、基板電極と相対する誘電体で構成した真空チャンバー部分の上部に弱い高周波バイアスを印加できるようにした別の電極を設けたことを特徴とした反応性イオンエッチング装置。
IPC (4件)：
C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/50
FI (4件)：
C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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