特許
J-GLOBAL ID：200903050807562560

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
周 保華

周 保華 について

, 
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309157
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065203
出願日： 2008年12月03日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができ、且つエッチングストッパ膜や層間絶縁膜等の絶縁膜として十分機能する絶縁膜を形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にSiBCN薄膜を形成する成膜方法において、シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの3種類のガスの同時供給と窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにする。これにより、比較的低温で成膜してもクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、クリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数枚の被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内に、シラン系ガスと窒化ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にSiBCN薄膜を形成する成膜方法において、 前記シラン系ガスとボロン含有ガスと炭化水素ガスの3種類のガスの同時供給と前記窒化ガスの供給とを間欠的に且つ交互に行うようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/42 ,  C23C 16/36
FI (4件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/31 C ,  C23C16/42 ,  C23C16/36
Fターム (41件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030BA26 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045BB07 ,  5F045DC53 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BC07 ,  5F058BC20 ,  5F058BD02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-041280   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
  • 基板処埋装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-127686   出願人：株式会社日立国際電気

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