特許

J-GLOBAL ID：200903050821146324

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 田口 典幸 ,  澤田 康志 ,  松永 浩一 ,  行村 建
出願人/特許権者： 松下電工株式会社 ,  株式会社ハイデン研究所
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-250285
公開番号（公開出願番号）：特開2002-058995
出願日： 2000年08月21日
公開日（公表日）： 2002年02月26日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ処理にかかるコストを低く抑えることができ、プラズマ密度を高くすることができ、プラズマ処理の能力を高くすることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 対向配置された電極2、3の間を放電空間34として形成する。対向配置された電極2、3のうち少なくとも一方の電極2(又は電極3)の放電空間34側に誘電体32を設ける。放電空間34にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極2、3間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で放電空間34に誘電体バリア放電を発生させるプラズマ処理装置に関する。電極2、3間に印加する電圧の波形を休止時間のない交番電圧波形とすると共にこの交番電圧波形の立ち上がり時間を100μsec以下とする。

請求項（抜粋）：

対向配置された電極の間を放電空間として形成し、対向配置された電極のうち少なくとも一方の電極の放電空間側に誘電体を設け、放電空間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に電圧を印加することによって大気圧近傍の圧力下で放電空間に誘電体バリア放電を発生させるプラズマ処理装置において、電極間に印加する電圧の波形を休止時間のない交番電圧波形とすると共にこの交番電圧波形の立ち上がり時間を100μsec以下とすることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/24

FI (5件)：

B01J 19/08 H ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 H

Fターム (34件)：

4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075BD14 ,  4G075BD24 ,  4G075CA14 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED04 ,  4G075ED06 ,  4G075FB01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB24 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB13 ,  5F004DB23 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045DP23 ,  5F045DQ15

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 新規のイオウ含有原子団導入多孔質体、多孔質体の総表面へのイオウ含有原子団導入方法、及び電池用セパレ-タ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-043370   出願人：日本バイリーン株式会社
• 表面処理品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-014428   出願人：積水化学工業株式会社
• 表面処理方法および表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-293688   出願人：株式会社日立製作所