特許
J-GLOBAL ID：200903050821620646

固体撮像装置とその製造方法

発明者：
大川 成実

大川 成実 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335484
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101442
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置ユニットを提供すること。【解決手段】 シリコン(半導体)基板1の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域22と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域22との間のシリコン基板1上に、ゲート絶縁膜5cを介して形成され、浮遊不純物拡散領域22側に向けて凹凸を有する転送ゲート12とを有する固体撮像装置による。【選択図】 図21
請求項（抜粋）：
半導体基板の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオード及び浮遊不純物拡散領域と、 前記フォトダイオードと前記浮遊不純物拡散領域との間の前記半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介して形成され、前記浮遊不純物拡散領域側に向けて凹凸を有する転送ゲートと を有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L27/146 ,  H04N5/335
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H04N5/335 E
Fターム (34件)：
4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118DB09 ,  4M118DB11 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA16 ,  4M118FA27 ,  4M118FA33 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX03 ,  5C024DX04 ,  5C024EX21 ,  5C024EX42 ,  5C024EX51 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ20 ,  5C024HX02 ,  5C024HX40 ,  5C024HX41
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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