CVD装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-004249
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305162
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 CVD法を用いて幅の異なる凹部に銅配線を形成できる技術を提供する。【解決手段】基板上10に形成され、凹部131、132が設けられた絶縁膜12上にCVD法によって銅薄膜を形成し、凹部131、132内をその銅薄膜の銅材料で充填する際、銅薄膜を形成するCVD工程を2回以上に分割し、分割されたCVD工程の間に熱処理工程を設ける。熱処理により流動化し、断面すり鉢状の窪みが形成された銅薄膜上に銅薄膜を形成でき、また、1回のCVD工程で形成する銅薄膜が薄くなり、表面が滑らかになるので、幅の広い凹部132内にも空洞が形成されなくなる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上にCVD法によって銅薄膜を形成し、前記凹部を前記銅薄膜の銅材料で充填する銅配線製造方法において、前記銅薄膜を形成するCVD工程を2回以上に分割し、分割されたCVD工程の間に熱処理工程を設けたことを特徴とする銅配線製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/18 , C23C 16/44 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (7件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , C23C 16/18 , C23C 16/44 B , H01L 21/28 H , H01L 21/88 M , H01L 21/88 K

Fターム (76件)：

4K030AA11 , 4K030AA17 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030CA11 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030KA08 , 4K030KA23 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB04 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ98 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX04 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-090612 出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
熱CVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-316547 出願人：株式会社島津製作所
特開昭63-297563

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