強誘電体ゲートメモリ、これに用いる強誘電体薄膜の形成方法およびこの形成方法に用いる前駆体溶液

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-013047
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213819
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 MFIS-FETの強誘電体薄膜のための比誘電率の小さな強誘電体材料。【解決手段】 Si基板10の上面にゲート酸化膜14とこのゲート酸化膜14の上面に設けたPt膜16とを介してYMnO3 強誘電体薄膜18を具える強誘電体ゲートメモリ。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上面に絶縁膜を介して強誘電体薄膜を具える強誘電体ゲートメモリにおいて、前記強誘電体薄膜材料としてYMnO3 を用いることを特徴とする強誘電体ゲートメモリ。

IPC (8件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C01G 45/12 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 29/78 371 , C01G 45/12 , G11C 11/22 , H01L 27/10 451 , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (6件)

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