特許
J-GLOBAL ID：200903050903782806

プラズマ処理装置および方法

発明者：
角屋 誠浩

角屋 誠浩 について

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安井 尚輝

安井 尚輝 について

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田村 仁

田村 仁 について

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渡辺 成一

渡辺 成一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-401178
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140391
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】 マスク又は/及び下地材料との選択比を充分に確保し高精度な表面処理を行う。【解決手段】 プラズマの生成と被処理材へのバイアス電圧制御とがそれぞれ独立に行われ、かつ、バイアス電圧としての高周波電圧波形が任意の電圧で平坦化され、それが被処理材116を載置する基板電極115に印加され被処理材に入射するイオンエネルギー分布を所望の分布に制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマ生成と試料へのバイアス電圧印加をそれぞれ独立制御し、前記試料をプラズマ処理する方法において、前記試料に印加するバイアス電圧を高周波電圧で与え、かつ前記高周波電圧の電圧波形を任意の電圧で平坦化することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/205
FI (2件)：
H01L21/302 101G ,  H01L21/205
Fターム (27件)：
5F004AA02 ,  5F004AA14 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA06 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EB01 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045EH05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH12 ,  5F045EH17 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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