基板の表面に形成されたエピタキシャル薄膜及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275891
公開番号（公開出願番号）：特開2003-089597
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】金属化合物を、溶媒に溶解させ、均一な溶液とした混合溶液を用いて薄膜を基板上に形成する際に、基板上に形成しようとする薄膜が格子定数の相違が存在することにより、基板表面に薄膜を形成することが困難であるにもかかわらず、基板上に酸化物エピタキシャル薄膜が形成されている、エピタキシャル配向膜及びその製造方法の提供【解決手段】金属化合物を、溶媒に溶解させ、均一な溶液とした混合溶液を、オフカットされた基板表面上に塗布乾燥させることにより、薄膜を形成し、加熱焼成することにより得られる、オフカットされた基板上に形成された酸化物のエピタキシャル薄膜が積層して形成されていることを特徴とする基板上に形成された酸化物のエピタキシャル薄膜及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

金属化合物を、溶媒に溶解させ、均一な溶液とした混合溶液を、オフカットされた基板表面上に塗布乾燥させることにより、薄膜を形成し、加熱焼成することにより得られる、オフカットされた基板上に形成された酸化物のエピタキシャル薄膜が積層して形成されていることを特徴とする基板上に形成された酸化物のエピタキシャル薄膜。

IPC (3件)：

C30B 29/24 , C30B 1/04 , H01L 39/24 ZAA

FI (3件)：

C30B 29/24 , C30B 1/04 , H01L 39/24 ZAA B

Fターム (16件)：

4G077AA03 , 4G077BC13 , 4G077CA04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077JA08 , 4G077JB07 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113AD40 , 4M113AD66 , 4M113BA01 , 4M113BA23 , 4M113BA29 , 4M113CA34

引用特許：

審査官引用 (8件)

特表平4-500061
ペロブスカイト構造を有する複合金属酸化物エピタキシャル膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-263349 出願人：工業技術院長
強誘電体薄膜素子の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-007073 出願人：富士ゼロックス株式会社

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