基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044183
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】簡単な構成で処理温度を一定に保つことができ、更に処理気体を基板上に均一に供給することができる基板処理装置の提供。【解決手段】供給路66を介して供給された処理気体が案内室67内において案内板72〜75及び案内溝71を介して案内室67の熱板60裏面の外周の内側に回り込んでから処理室本体52の内周と熱板60の外縁との間に隙間76を介して案内室67から熱板60の表面に処理気体が供給されるようになっている。

請求項（抜粋）：

基板を処理するための処理室と、前記処理室内に配置され、第1及び第2の面を有し、前記第1の面に基板を保持して加熱処理する熱板と、前記処理室内に処理気体を供給する供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記熱板の第2の面の外周の内側に沿って設けられ、前記供給手段から供給された処理気体を一旦蓄えて前記熱板の外縁から該熱板の表面に向けて案内する案内室とを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/027 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/31 A , H01L 21/68 N , H01L 21/30 567

引用特許：

審査官引用 (3件)

加熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-281171 出願人：東京応化工業株式会社
SOG膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-350215 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
基板へのシリカ系被膜形成方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-174445 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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