特許
J-GLOBAL ID：200903051039286512

エネルギーデバイス及びその製造方法

発明者：
本田 和義

本田 和義 について

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大石 毅一郎

大石 毅一郎 について

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美藤 靖彦

美藤 靖彦 について

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中本 貴之

中本 貴之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-322515
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183365
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】シリコンを主成分とする薄膜を負極活物質として備え、サイクル特性の良好なエネルギーデバイスを提供する。【解決手段】集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されている。集電体と負極活物質薄膜との界面近傍に、集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されている。組成傾斜層は、集電体に含まれる元素及び負極活物質薄膜に含まれる元素の他にW、Mo、Cr、Co、Fe、Mn、Ni、及びPの中から選ばれた少なくとも1つの第3元素を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
集電体上にシリコンを主成分として含む負極活物質薄膜が形成されたエネルギーデバイスであって、 前記集電体と前記シリコンを主成分として含む負極活物質薄膜との界面近傍に、前記集電体の主成分元素及びシリコンの組成分布がなだらかに変化する組成傾斜層が形成されており、 前記組成傾斜層は前記集電体に含まれる元素及び前記負極活物質薄膜に含まれる元素の他にW、Mo、Cr、Co、Fe、Mn、Ni、及びPの中から選ばれた少なくとも1つの第3元素を含むことを特徴とするエネルギーデバイス。
IPC (5件)：
H01M4/38 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40
FI (5件)：
H01M4/38 Z ,  H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/66 A ,  H01M10/40 Z
Fターム (34件)：
5H017AA03 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL02 ,  5H029AL11 ,  5H029AL18 ,  5H029AM03 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029DJ12 ,  5H029EJ01 ,  5H029EJ04 ,  5H029EJ12 ,  5H050AA07 ,  5H050BA16 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB02 ,  5H050CB11 ,  5H050CB29 ,  5H050DA07 ,  5H050EA08 ,  5H050EA24 ,  5H050FA12 ,  5H050GA10 ,  5H050GA24 ,  5H050HA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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