特許
J-GLOBAL ID：200903051050275980
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-123779
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303231
出願日： 2005年04月21日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【目的】高温アニールに起因するリーク電流の増大を無くし、また半導体基板内部でアバランシェ降伏を起こすことのできる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供【構成】前記ポリシリコン領域が、半導体基板の表面にポリシリコン層をCVD法により所定の厚さに堆積した後、エッチングガスのバイアス方向に対して前記半導体基板を傾斜させて、トレンチ側壁に形成された該ポリシリコン層のうち、表面から前記チャネル領域より深い位置までを異方性エッチングにより除去することにより形成される炭化珪素半導体装置の製造方法とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面からドリフト層に達する深さのトレンチを形成し、前記ドリフト層とは反対導電型にドープしたポリシリコン層を前記半導体基板の表面に堆積した後、前記トレンチ底部にポリシリコン領域を選択形成し、該ポリシリコン領域表面と前記トレンチ側壁表面とにゲート絶縁膜を介してポリシリコンゲート電極を形成することにより、トレンチ側壁にチャネル領域を配したMOSゲート構造を備えるようにした炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記ポリシリコン領域が、前記ポリシリコン層の堆積後、エッチングガスのバイアス方向に対して前記半導体基板を傾斜させて、トレンチ側壁に形成された該ポリシリコン層のうち、表面から前記チャネル領域より深い位置までを異方性エッチングにより除去することにより形成されることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 658G
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
