特許
J-GLOBAL ID：200903051088616765
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290047
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：
【要約】【目的】 結晶性が良く、高出力、高効率の窒化物半導体よりなる素子を提供し、具体的に低閾値電流で連続発振するレーザ素子、及び高効率なLED素子を実現する。【構成】 基板上部に、n不純物がドープされていないか、若しくはn型不純物濃度が小さい窒化物半導体よりなる第1の層を有し、その第1の層上部に、第1の層よりもn型不純物濃度が大きい窒化物半導体よりなる第2の層を有し、その第2の層に負電極が形成されていることにより、結晶性が良く高キャリア濃度の第2の層が形成できるため、負電極とのオーミック性が良くなり、素子の効率が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上部に、n型不純物がドープされていない膜厚0.1μm以上の窒化物半導体よりなる第1の層を有し、その第1の層上部に、n型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第2の層を有し、その第2の層に負電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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