特許

J-GLOBAL ID：200903074418836694

半導体素子とその製造方法

発明者： 狩野 隆司 ,  國里 竜也 ,  上田 康博 ,  松下 保彦 ,  八木 克己
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107834
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293897
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 ピット数を低減し且つ平坦な成長層が得られる半導体素子とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 III-V族窒化物系半導体からなる半導体素子において、基板1上に、III-V族窒化物系半導体からなるバッファ層2及びアンドープのIII-V族窒化物系半導体からなる単結晶下地層3をこの順序で備える。

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物系半導体からなる半導体素子において、基板上に、III-V族窒化物系半導体からなるバッファ層及びアンドープのIII-V族窒化物系半導体からなる単結晶下地層をこの順序で備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3-5族化合物半導体と発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-046785   出願人：住友化学工業株式会社
• n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-227679   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985
  
• 特開平4-321280