特許
J-GLOBAL ID：200903074905716904
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118073
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270761
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体を積層する基板を非常に薄くするか、もしくはなくすることにより、LEDチップの厚さを薄くし、薄型化した半導体発光素子およびそれを製造する方法を提供する。【解決手段】 発光層を形成すべく半導体層3、4、5が積層される発光素子チップ30を有し、前記発光素子チップの前記半導体層が積層される方向の厚さが50μm以下に形成されている。チップ型発光素子とする場合は、両端部に端子電極32、33が設けられた絶縁性基板31と、該絶縁性基板上にマウントされると共に一方の電極(n側電極9)が前記端子電極の一方32と電気的に接続される発光素子チップ30と、該発光素子チップの他方の電極(p側電極8)を前記端子電極の他方33と電気的に接続するワイヤ34と、前記発光素子チップの周囲を被覆する樹脂パッケージ35からなっている。
請求項（抜粋）：
発光層を形成すべく半導体層が積層される発光素子チップを有する半導体発光素子であって、前記発光素子チップの前記半導体層が積層される方向の厚さが50μm以下である半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
, H01L 23/12 Q
