特許
J-GLOBAL ID：200903051127082579

半導体素子

発明者：
原 真二郎

原 真二郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-235314
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079644
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】半導体素子のp型半導体層のホールキャリア濃度を確保しつつ特性・信頼性を向上する。【解決手段】半導体素子のp型半導体層10を、ホールキャリア濃度がp型半導体層全体のホールキャリア濃度よりも低くなる低キャリア濃度層11と、Cが導入されたカーボンドープ層12との積層構造にする。低キャリア濃度層11のp型不純物に拡散定数が比較的大きなZnなどを用い、かつ、そのホールキャリア濃度を低く抑え、これによってp型半導体層10全体として不足するホールキャリアを、拡散定数が小さいCを導入したカーボンドープ層12によって補う。これにより、p型半導体層10全体のホールキャリア濃度を確保することができるとともに、プロファイル劣化を低減することができ、半導体素子の特性・信頼性を向上させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型半導体層を有する半導体素子において、 ホールキャリア濃度が前記p型半導体層全体のホールキャリア濃度よりも低くなる半導体層である低キャリア濃度層と、カーボンが導入された半導体層であるカーボンドープ層と、が積層された構造を有するp型半導体層を有することを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L31/10
FI (3件)：
H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L31/10 A
Fターム (32件)：
5F045AA04 ,  5F045AB12 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF16 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049MB11 ,  5F049NA12 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)

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