特許
J-GLOBAL ID：200903051203096142

半導体装置の研磨方法、半導体装置の製造方法および研磨装置

発明者：
濱中 雅司

濱中 雅司 について

, 
白樫 衛吾

白樫 衛吾 について

, 
伊藤 史隆

伊藤 史隆 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (8件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  手島 勝 ,  藤田 篤史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-373582
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207422
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】ウェハ表面に傷やスクラッチが発生することを抑制すること【解決手段】CMPを用いて基板を研磨する工程を含む半導体装置を製造する方法であって、研磨工程では、スラリー供給のためにチューブ式スラリー供給ポンプ15を使用し、チューブ式スラリー供給ポンプ15では、スラリーを供給するチューブ12として、塩ビ系チューブを使用する。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
CMPを用いて基板を研磨する工程を含む半導体装置を製造する方法であって、 前記研磨工程では、スラリー供給のためにチューブ式スラリー供給ポンプを使用し、 前記チューブ式スラリー供給ポンプでは、スラリーを供給するチューブとして、塩ビ系チューブを使用することを特徴とする、半導体装置の研磨方法。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02
FI (3件)：
H01L21/304 622E ,  B24B37/00 K ,  B24B57/02
Fターム (7件)：
3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12
引用特許：
審査官引用 (3件)

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