特許
J-GLOBAL ID：200903007615513822

化学的機械的平坦化システム及びその方法

発明者：
ジェームス・エフ・バネル

ジェームス・エフ・バネル について

, 
トッド・ダブリュー・バレイ

トッド・ダブリュー・バレイ について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-300538
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224868
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】製造環境内の信頼性の改善された、かつ各ウェハを研磨するコストを軽減する化学的機械的平坦化装置および化学的機械的平坦化方法を提供する。【解決手段】ウェハ研磨工程において、使用される大量の研磨剤を減少させる化学的機械的平坦化装置は、研磨剤と微粒子を研磨媒体から除去するための洗浄バー(87)とスラリ送配システムのポンプ(83)を調整するためのスラリ測定システム(84)を含む。多くのスラリ送配システムは、100ミリリットル未満に減少させる。およそ、研磨剤の最小限の容量は、ウェハ・ロットの各ウェハ研磨工程の間、単一のウェハを研磨するために、分配される。各ウェハ研磨工程の間、研磨剤の固定、凝集および硬化を防ぐために、スラリ送配システムはパージされる。リンス・バー(87)は、他の半導体ウェハを研磨する前に、消費される研磨剤および微粒子を除去するために研磨媒体の表面にスプレーする。
請求項（抜粋）：
ウェハ・ロットにわたるウェハ均一性を増大するために、半導体ウェハ平坦化プロセスの間、その場での洗浄段階をもたらす化学的機械的平坦化装置であって:半導体ウェハ(61)を支持するためのローラ(42、66、88);入力とアウトプットを有しているポンプ(45);入力およびポートを有している送配バー(47、65、85);前記送配バー(47、65、85)の前記入力に前記ポンプ(45)の前記アウトプットを結合させている第1ラインであって、前記ポンプ(45)、前記第1ラインおよび前記送配バー(47、65、85)は、100ミリリットル未満の合計の容量を有する第1ライン;および液体を受ける入力および少なくとも一つのスプレー・ノズルを有しているリンス・バー(87、93);から構成されることを特徴とする化学的機械的平坦化装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304
FI (2件)：
H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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