熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：荒船良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-023684
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224079
出願日： 2002年01月31日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】熱処理室(反応室)への水分の持ち込み量を低減することができる熱処理方法、熱処理装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】ロードロック室20と、熱処理室30と、ロードロック室20と熱処理室30との間でシリコン単結晶基板Wを搬送するための搬送室40とを備える熱処理装置10を用いて、シリコン単結晶基板Wに熱処理を施す熱処理方法である。搬送室40内に熱処理装置10外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、搬送室40の内壁を、熱処理室40で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行う。その後、ロードロック室20内のシリコン単結晶基板Wを、搬送室40を介して熱処理室30に搬送して、該熱処理室30で熱処理する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板を搬入する際に該シリコン単結晶基板を先ず収納するロードロック室と、シリコン単結晶基板に対し熱処理を施すための熱処理室と、該熱処理室とロードロック室との間に介在し、該ロードロック室と熱処理室との間でシリコン単結晶基板を搬送するための搬送室とを備える熱処理装置を用いて、シリコン単結晶基板に前記熱処理を施すシリコン単結晶基板の熱処理方法において、前記搬送室内に前記熱処理装置外の雰囲気が流入可能となる作業を行った後は、前記搬送室の内壁を、前記熱処理室で行う熱処理温度に比べて低い温度に加熱する搬送室内壁加熱工程を行ってから、前記ロードロック室内の前記シリコン単結晶基板を、前記搬送室を介して前記熱処理室に搬送して、該熱処理室で前記熱処理することを特徴とするシリコン単結晶基板の熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/324 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/324 S , H01L 21/324 W , H01L 21/68 A

Fターム (26件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA03 , 5F031FA07 , 5F031JA01 , 5F031JA45 , 5F031MA11 , 5F031MA28 , 5F031MA30 , 5F031NA04 , 5F031NA07 , 5F031NA09 , 5F031NA11 , 5F031PA06 , 5F031PA23 , 5F031PA24 , 5F045AB02 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045EB08 , 5F045EB09 , 5F045EB13 , 5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-263480 出願人：国際電気株式会社
真空熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074978 出願人：日本真空技術株式会社
ウエハ処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-022869 出願人：ソニー株式会社

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