特許
J-GLOBAL ID:200903051270103960

半導体センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢作 和行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-363629
公開番号(公開出願番号):特開2005-127859
出願日: 2003年10月23日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 薄膜部の耐久性と検出精度の両方を確保できる半導体センサを提供すること【解決手段】 半導体基板11に形成されたメンブレン20と、メンブレン20を構成するヒータ部16aを含む配線部16と、半導体基板11上に形成され、配線部16と電極としてのパッド部30とを導電接続する引出し配線部18とを備える熱式流量センサ10であって、配線部16がシリコン膜により構成され、引出し配線部18が低抵抗金属材料により構成されるとともに、ヒータ部16aを含む配線部16の少なくとも一部が吸気管100内に配置され、引出し配線部18形成領域が吸気管100外に配置される構成とした。従って、苛酷な使用環境下においても、メンブレン20の耐久性を確保することができる。また、ヒータ部16aとパッド部30とを電気的に接続する配線のうち、引出し配線部18の抵抗値を低くしており、検出精度を確保することができる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
半導体基板に形成された薄膜部と、 当該薄膜部に形成されたヒータ部を含む配線部と、 前記半導体基板上に形成され、前記配線部と電極としてのパッド部とを電気的に接続する引出し配線部とを備える半導体センサであって、 前記配線部がシリコン膜により構成され、前記引出し配線部が低抵抗金属材料により構成されるとともに、前記引出し配線部形成領域を除き、且つ、少なくとも前記薄膜部を含む基板部位が、測定対象下に配置されることを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件):
G01F1/684 ,  G01F1/692
FI (4件):
G01F1/68 101A ,  G01F1/68 104A ,  G01F1/68 104B ,  G01F1/68 104C
Fターム (3件):
2F035AA02 ,  2F035EA05 ,  2F035EA08
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 熱式空気流量センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-246475   出願人:株式会社日立製作所
  • 特許2880651号
審査官引用 (2件)

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