特許
J-GLOBAL ID：200903051353561170
基板処理装置および処理ガス吐出機構
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-097946
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273747
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】 シャワーヘッド等の処理ガス吐出機構の温度の不均一に起因する処理の不良や不均一を低減することができる基板処理装置および処理ガス吐出機構を提供する。【解決手段】 成膜装置は、半導体ウエハWを収容する処理容器2と、処理容器2内に配置され、半導体ウエハWが載置される載置台5と、この載置台5と対向する位置に設けられ、処理容器2内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構としてのシャワーヘッド40と、処理容器2内を排気する排気装置101とを具備し、シャワーヘッド40は、処理ガスが導入されるガス流路を有しており、ガス流路を囲むように環状の温度調節室400を設けた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に配置され、被処理基板が載置される載置台と、
前記載置台上の被処理基板と対向する位置に設けられ、前記処理容器内へ処理ガスを吐出する処理ガス吐出機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と
を具備し、
前記処理ガス吐出機構は、前記処理ガスが導入されるガス流路が形成された複数のプレートからなる積層体を有しており、
前記積層体の内部に、前記ガス流路を囲むように環状の温度調節室を設けた、基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030BA18
, 4K030BA22
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030KA25
, 4K030LA15
, 5F045AA04
, 5F045AA06
, 5F045AB31
, 5F045BB02
, 5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045EE14
, 5F045EF05
, 5F045EF07
, 5F045EF09
, 5F045EG05
, 5F045EK10
