特許
J-GLOBAL ID：200903051363709612
窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-069223
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247746
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体素子のn 電極のワイヤボンディングを良好に行えるような良好な表面モフォロジーを得ること。【解決手段】エッチングにより n +層13を露出させ, エッチングマスクを残した状態で全面にフォトレジスト19を塗布し, フォトリソグラフィによりn+ 層13の露出面上の所定領域に窓19A を形成し, 10-6Torrオーダ以下の高真空に排気した後, 膜厚175 Åのバナジウム(V) から成る下地層181,膜厚2000Åのアルミニウム(Al)から成る第1金属層182,膜厚 500Åのバナジウム(V) から成る第1中間層183,膜厚8000Åのニッケル(Ni)から成る第2中間層184,膜厚1000ÅのAlから成る第3金属層185,及び膜厚5000Åの金(Au)から成る第2金属層186 をそれぞれ蒸着により順次積層する (図2(a)) 。この後, フォトレジスト19及びマスクを除去することにより,n+ 層13の露出面上に電極18B が形成される (図2(b)) 。
請求項（抜粋）：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体を有し、該半導体上に電極が形成された素子であって、前記電極は、アルミニウム(Al)から成る第1金属層と、金(Au)から成り、前記第1金属層より上側に設けられた第2金属層と、前記第1金属層と前記第2金属層との間に設けられ、それら金属層間の反応を防止する中間層と、前記第2金属層と前記中間層との間、若しくは前記第2金属層上、若しくはその両方に設けられ、前記中間層を構成する金属の表面への析出を防止する第3金属層とを有し、合金化されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 H
