パターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-040618
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246290
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】レジスト膜に形成されたパターンの基板全域及び微小領域における寸法差を抑制し、現像工程で生じる欠陥を低減する。【解決手段】露光された感光性レジスト膜301a,bの表面に、酸化作用を有する酸化性液体を塗布し、該酸化性液体により該レジスト膜の表面を酸化して酸化層310を形成する前処理を行う工程と、表面が酸化された前記感光性レジスト膜に対して現像液302を供給して、該レジスト膜の現像を行う工程と、前記被処理基板の表面に洗浄液を供給して、該基板を洗浄する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に感光性レジスト膜を塗布する工程と、前記感光性レジスト膜に対して露光を行う工程と、露光された感光性レジスト膜の表面に、酸化作用を有する酸化性液体を塗布し、該酸化性液体により該レジスト膜の表面を酸化して酸化層を形成する前処理を行う工程と、表面が酸化された前記感光性レジスト膜に対して現像液を供給して、該レジスト膜の現像を行う工程と、前記被処理基板の表面に洗浄液を供給して、該基板を洗浄する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , B05D 1/40 , B05D 3/10 , G03F 7/38 512

FI (5件)：

B05D 1/40 A , B05D 3/10 A , G03F 7/38 512 , H01L 21/30 568 , H01L 21/30 569 F

Fターム (21件)：

2H096AA00 , 2H096AA25 , 2H096FA05 , 2H096GA08 , 2H096GA26 , 4D075BB42Z , 4D075BB65Z , 4D075BB66Z , 4D075BB73Z , 4D075CA48 , 4D075DA08 , 4D075DB11 , 4D075DB70 , 4D075DC22 , 4D075EA45 , 5F046LA03 , 5F046LA04 , 5F046LA06 , 5F046LA07 , 5F046LA14 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-217258
基板処理方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-325288 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平4-131857

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