特許
J-GLOBAL ID：200903051434230992

半導体ウェーハ洗浄装置

発明者：
北川 賢一

北川 賢一 について


出願人/特許権者：
島田理化工業株式会社

島田理化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 藤吉 繁 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079291
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277476
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 被洗浄物である半導体ウェーハ表面に付着した汚染物質を洗浄液の高速噴射によって除去する洗浄装置において、その構成部品である噴射ノズルや洗浄液導入管、キャリアガス導入管などはフッ素樹脂で製作されることが多いが、その場合、フッ素樹脂は不導体であるので洗浄液が帯電することは避けられず、帯電した洗浄液の噴射より半導体ウェーハに電気的ダメージを与えることがあった。【解決手段】 液滴5を被洗浄物である半導体ウェーハ7表面に向って噴射し、その表面に付着している汚染物質を除去する半導体ウェーハ洗浄装置において、半導体ウェーハ7の裏面に向って炭酸ガスを溶解させたリンス純水9を噴射させ、帯電している液滴5から半導体ウェーハ7に流れた電流をこのリンス純水9を通して外部にアースさせる様にした。
請求項（抜粋）：
液滴5を被洗浄物である半導体ウェーハ7表面に向って噴射し、その表面に付着している汚染物質を除去する半導体ウェーハ洗浄装置において、半導体ウェーハ7の裏面に向って炭酸ガスを溶解させたリンス純水9を噴射させ、帯電している液滴5から半導体ウェーハ7に流れた電流をこのリンス純水9を通して外部にアースさせる様にしたことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄装置。
IPC (5件)：
H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 646 ,  H01L 21/304 647 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/10
FI (5件)：
H01L 21/304 643 Z ,  H01L 21/304 646 ,  H01L 21/304 647 Z ,  B08B 3/08 Z ,  B08B 3/10 Z
Fターム (7件)：
3B201AA03 ,  3B201AB34 ,  3B201BB22 ,  3B201BB38 ,  3B201BB93 ,  3B201BC01 ,  3B201CC01
引用特許：
審査官引用 (6件)
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