特許
J-GLOBAL ID:200903051465540515

アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子デバイス、及びアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-343422
公開番号(公開出願番号):特開2006-154168
出願日: 2004年11月29日
公開日(公表日): 2006年06月15日
要約:
【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。【解決手段】基材上に複数の第1配線と、複数の前記第1配線と交差する複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第2配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも1つの交差部と前記複数の画素電極のうち1つとに重なることを特徴とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基材上に複数の第1配線と、複数の前記第1配線と交差する複数の第2配線と、前記第1配線と前記第2配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第2配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、 前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、 前記半導体膜は前記複数の第1配線と前記複数の第2配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも1つの交差部と前記複数の画素電極のうち1つとに重なることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (7件):
G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05
FI (7件):
G09F9/30 338 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (106件):
2H092JA24 ,  2H092JA29 ,  2H092JA32 ,  2H092JA39 ,  2H092JB57 ,  2H092JB61 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA09 ,  2H092KA15 ,  2H092KA18 ,  2H092KB01 ,  2H092KB04 ,  2H092KB11 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA11 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA07 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092RA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094EA04 ,  5C094FA01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH12 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 有機薄膜トランジスタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-215748   出願人:旭化成工業株式会社
  • WO0147045
  • WO0147043
審査官引用 (8件)
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