ウェハー研磨方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-238021
公開番号（公開出願番号）：特開平9-076152
出願日： 1995年09月18日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】ウェハーの裏面状態の如何にかかわらずウェハーの保持性を向上させウェハー研磨面内均一性の向上をするとともに安定した連続研磨が可能なウェハー研磨方法およびその装置を提供する。【解決手段】裏面パッド5とウェハーの裏面3との間に、圧電素子7を設置し、ウェハーの裏面3と裏面パッド5間の圧力を制御しながらウェハーの表面を化学的機械的法で研磨する。

請求項（抜粋）：

化学的機械的研磨法により半導体ウェハーの表面の凹凸を平坦化する方法において、前記半導体ウェハーの裏面におよぼす裏面圧力をモニターし、これにより前記半導体ウェハーの表面に加わる荷重を制御しながら化学的機械的研磨を行うことを特徴とするウェハー研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (4件)：

B24B 37/00 F , B24B 37/00 B , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-342963 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
特開平3-267731
研磨具の面圧均一化装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-233274 出願人：東芝機械株式会社

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