特許
J-GLOBAL ID：200903051469007730

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178336
公開番号（公開出願番号）：特開2008-139827
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】160nm以下の薄膜レジストプロセスにおいても良好なパターンを形成可能なフォトレジスト用溶媒を提供する。【解決手段】少なくとも、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するメタクリレート及び/又はアクリレート由来の繰り返し単位を含んでなる高分子化合物と、合計の炭素数が5〜9の範囲のラクトン環を有する第1溶媒とを含んでなるレジスト材料が提供する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくとも、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有するメタクリレート及び/又はアクリレート由来の繰り返し単位を含んでなる高分子化合物と、合計の炭素数が5〜9の範囲のラクトン環を有する第1溶媒とを含んでなるレジスト材料。
IPC (2件)：
G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (2件)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (12件)：
2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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