半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358063
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158262
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】シリコンとの界面特性を向上させるための金属シリケート内部の傾斜組成を、従来提案されている手段とは全く異なる方法により、確実に実現して得られた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを含有する半導体層(10)と、その上に設けられ、シリコン(Si)と酸素(O)と窒素(N)と金属元素とを含有する絶縁層(20)と、その上に設けられた導電性層(30)と、を備え、前記絶縁層は、前記金属元素の濃度が前記半導体層の側で低く、前記導電性層の側で高くなる分布を有し、且つ、前記窒素の濃度が前記半導体層の側で高く、前記導電性層の側で低くなる分布を有することを特徴とする半導体装置を提供する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含有する半導体層と、前記半導体層の上に設けられ、シリコン(Si)と酸素(O)と窒素(N)と金属元素とを含有する絶縁層と、前記絶縁層の上に設けられた導電性層と、を備え、前記絶縁層は、前記金属元素の濃度が前記半導体層の側で低く、前記導電性層の側で高くなる分布を有し、且つ、前記窒素の濃度が前記半導体層の側で高く、前記導電性層の側で低くなる分布を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

Fターム (23件)：

5F083EP17 , 5F101BA42 , 5F101BD07 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF07 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH15

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-395734 出願人：松下電器産業株式会社
オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200829 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
集積回路に電界効果デバイスを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200828 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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