半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337701
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108982
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】良好なオーミック接触を得ながら、表面プラズモンの効果を得ることが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】この半導体発光素子は、MQW発光層4上に形成されたMgドープGa0.95In0.05Nからなるp型コンタクト層7と、p型コンタクト層7上に形成され、p型コンタクト層7に対して良好なオーミック特性を有するPdからなるオーミック電極8と、オーミック電極8上に形成され、オーミック電極8よりもプラズマ周波数の高い金属(Ag)からなるとともに、周期構造を有する電極9とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上に形成され、周期的な構造を有する第2電極層とを備え、前記第1電極層は、前記第2電極層よりも前記半導体層に対するオーミック接触が良好であり、前記第2電極層は、前記第1電極層よりもプラズマ周波数の高い金属を含む、半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L33/00 , H01L21/28 , H01S5/042

FI (4件)：

H01L33/00 E , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01S5/042 612

Fターム (31件)：

4M104AA04 , 4M104AA06 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD24 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F073AA61 , 5F073CB22 , 5F073DA30 , 5F073EA23 , 5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (6件)

表面プラズモンレーザ構造を有する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-046367 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
半導体発光素子とその製造方法、及び半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-200298 出願人：株式会社東芝
半導体デバイス用多層・高反射性オーミック接点
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-388352 出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー

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