特許

J-GLOBAL ID：200903051481829908

発光素子

発明者： 武 東星 ,  洪 瑞華 ,  王 偉凱 ,  文 國昇
出願人/特許権者： 國立中興大學
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-012956
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235109
出願日： 2007年01月23日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】発光素子の発光効率を改善する。【解決手段】六方晶構造をしたベース部と、該ベース部上に形成された発光部とを備え、前記ベース部は、平坦なベース面を有する発光増進層を含み、発光増進ユニットを前記ベース面に対して垂直方向に形成し、前記発光増進ユニットは、前記ベース面より内向きに複数の斜面が互いに隣接して連なった状態をし、且つ六方晶の面群における対応する対称面に平行し、但し、は2〜5であり、整数の上に横線を引いている場合はマイナス値を示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光効率の良好な六方晶構造をしたベース部と、該ベース部上に形成された発光部とを備え、 前記六方晶構造のベース部は、実質上平坦なベース面を有する発光増進層を含み、発光増進ユニットを前記ベース面に対して垂直方向に形成し、 前記発光増進ユニットは、前記ベース面より内向きに複数の斜面が互いに隣接して連なった状態をし、且つ六方晶の

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/306 D

Fターム (8件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CB15 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 台湾特許第1236773号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 発光素子、その製造方法およびLEDランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-369092   出願人：昭和電工株式会社
• 半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-202737   出願人：京セラ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-180930   出願人：ソニー株式会社