特許
J-GLOBAL ID：200903038388978875
半導体素子用単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202737
公開番号（公開出願番号）：特開2005-047718
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法で凹凸を作製した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供し、また、同時にこの方法で作成されたサファイア基板を用いて作製された半導体発光素子を提供する。【解決手段】熱リン酸等でウェットエッチングことによりエッチピット付きの単結晶サファイア基板を作製する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
主面上に複数のエッチピットを有することを特徴とする半導体素子用単結晶サファイア基板。
IPC (4件)：
C30B29/20
, C30B15/34
, C30B33/10
, H01L33/00
C30B29/20
, C30B15/34
, C30B33/10
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077CF01
, 4G077FG06
, 4G077FG18
, 4G077PK03
, 5F041AA40
, 5F041CA10
, 5F041CA40
, 5F041CA74
