高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-033167
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234340
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】二つの異なる周波数の高周波による高周波プラズマ処理において、プラズマの形成や維持を充分にし、且つ安定化させる。【解決手段】処理チャンバー1内にプロセスガス導入系2によりプロセスガスを導入し、プラズマ用電源4により高周波電極3にVHF帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプロセスガスのプラズマを形成し、基板ホルダー5上の基板9に所定の処理を施す。基板ホルダー5は別の高周波電極であり、HF帯の高周波電圧がイオン入射用電源50により印加され、発生する自己バイアス電圧によりプラズマ中のイオンが引き出されて基板9に入射する。コントローラ7は、プラズマ用電源4を動作させてから所定時間経過後にイオン入射用電源50を動作させるシーケンス制御プログラム70を実行する。

請求項（抜粋）：

処理チャンバー内に基板を配置するとともに処理チャンバー内に高周波放電によるプラズマを形成して基板に所定の処理を施す高周波プラズマ処理方法であって、第一の周波数の高周波電力を放電空間に形成して高周波放電を開始させる放電開始ステップと、高周波放電を開始させた後、所定のタイムラグをおいて、第一の周波数とは異なる第二の周波数の高周波電力を放電空間に供給するステップとを有することを特徴とする高周波プラズマ処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , B01J 19/08 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

B01J 19/08 H , H01L 21/205 , H05H 1/46 L , H01L 21/302 C

Fターム (27件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA61 , 4G075AA65 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075BA10 , 4G075BC02 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BC10 , 4G075CA25 , 4G075DA02 , 4G075DA18 , 4G075EB01 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F045AA08 , 5F045DP04 , 5F045EH01 , 5F045EH20 , 5F045EM01 , 5F045GB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

プラズマ処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-210446 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072575 出願人：株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社, 日立テクノエンジニアリング株式会社
特開平1-106432

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